Mitsubishi Electric για αποστολή δειγμάτων μονάδας SiC MOSFET ενσωματωμένης σε 3.3 kV SBD

Αναδημοσίευση από τον Πλάτωνα

Ακολουθούν: 0

11 2023 Μαΐου

Μετά την ήδη κυκλοφορία τεσσάρων μονάδων πλήρους SiC και δύο μονάδων διπλού τύπου LV3.3 υψηλής τάσης 100 kV, η Mitsubishi Electric Corp με έδρα το Τόκιο λέει ότι στις 31 Μαΐου θα αρχίσει να αποστέλλει δείγματα μιας νέας διόδου φραγμού Schottky (SBD) με ενσωματωμένο πυρίτιο Μονάδα τρανζίστορ φαινομένου πεδίου (SiC) οξειδίου μετάλλου-ημιαγωγού (MOSFET), με τάση αντοχής διπλού τύπου 3.3 kV και 6.0 kVrms τάση απομόνωσης (διηλεκτρική ισχύς).

Με διαστάσεις 100mm x 140mm x 40mm, η νέα μονάδα FMF800DC-66BEW αναμένεται να υποστηρίζει ανώτερη ισχύ εξόδου, απόδοση και αξιοπιστία σε συστήματα inverter για μεγάλο βιομηχανικό εξοπλισμό, όπως σιδηρόδρομοι και συστήματα ηλεκτρικής ενέργειας.

Η νέα μονάδα SiC MOSFET της Mitsubishi Electric 3.3 kV SBD ενσωματωμένη.

Εικόνα: Η νέα μονάδα SiC MOSFET 3.3 kV SBD της Mitsubishi Electric.

Το ενσωματωμένο σε SBD SiC-MOSFET και η βελτιστοποιημένη δομή συσκευασίας λέγεται ότι μειώνουν την απώλεια μεταγωγής κατά 91% σε σύγκριση με την υπάρχουσα μονάδα ισχύος πυριτίου της εταιρείας και κατά 66% σε σύγκριση με την υπάρχουσα μονάδα ισχύος SiC, μειώνοντας την απώλεια ισχύος του μετατροπέα και συμβάλλοντας σε υψηλότερη απόδοση και αποδοτικότητα.

Το SiC-MOSFET ενσωματωμένο σε SBD και η βελτιστοποιημένη χωρητικότητα ρεύματος λέγεται επίσης ότι βελτιώνουν την αξιοπιστία του μετατροπέα.

Η βελτιστοποιημένη διάταξη τερματικού επιτρέπει την παράλληλη σύνδεση και υποστηρίζει διάφορες διαμορφώσεις και χωρητικότητες μετατροπέων ανάλογα με τον αριθμό των παράλληλων συνδέσεων. Επίσης, μια δομή συσκευασίας με κύριους ακροδέκτες DC και AC σε αντίθετους πόλους βοηθά στην απλοποίηση του σχεδιασμού του κυκλώματος.

Η νέα μονάδα FMF800DC-66BEW εκτίθεται σε μεγάλες εμπορικές εκθέσεις, συμπεριλαμβανομένης της εκδήλωσης Power, Control and Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 στη Νυρεμβέργη της Γερμανίας (9–11 Μαΐου).

Δείτε σχετικά αντικείμενα:

Η Mitsubishi Electric προσθέτει διπλή μονάδα 400A, 1200V στη σειρά συσκευών ισχύος SiC

Η Mitsubishi θα λανσάρει δεύτερης γενιάς μονάδες ισχύος πλήρους SiC για βιομηχανική χρήση

Ετικέτες: Ενότητες ισχύος SiC Mitsubishi Electric

Επισκεφθείτε την ιστοσελίδα: www.MitsubishiElectric.com/semiconductors