Εξαγωνικά Memristors Nitride Boron With Nickel Electrodes: Current Conduction Mechanisms & Resistive Switching Behavior (RWTH Aachen)

Αναδημοσίευση από τον Πλάτωνα

Ακολουθούν: 0

Μια νέα τεχνική εργασία με τίτλο «Μηχανισμοί αντίστασης μεταγωγής και αγωγιμότητας ρεύματος σε εξαγωνικά μεμίστορες κατωφλίου νιτριδίου βορίου με ηλεκτρόδια νικελίου» δημοσιεύτηκε από ερευνητές στο Πανεπιστήμιο RWTH του Άαχεν και το Ινστιτούτο Peter Gruenberg.

Περίληψη:

«Το δισδιάστατο μονωτικό υλικό εξαγωνικό νιτρίδιο του βορίου (h-BN) έχει προσελκύσει μεγάλη προσοχή ως το ενεργό μέσο σε συσκευές μεμβράνης λόγω των ευνοϊκών φυσικών του ιδιοτήτων, μεταξύ άλλων, ενός μεγάλου κενού ζώνης που επιτρέπει ένα μεγάλο παράθυρο μεταγωγής. Ο σχηματισμός μεταλλικών νημάτων προτείνεται συχνά για συσκευές h-BN ως μηχανισμός μεταγωγής αντίστασης (RS), που συνήθως υποστηρίζεται από εξαιρετικά εξειδικευμένες μεθόδους όπως το μικροσκόπιο αγώγιμης ατομικής δύναμης (C-AFM) ή το ηλεκτρονικό μικροσκόπιο μετάδοσης (TEM). Εδώ, διερευνάται η μεταγωγή πολυστρωματικών εξαγωνικών μεμρίστορ κατωφλίου νιτριδίου του βορίου (h-BN) με δύο ηλεκτρόδια νικελίου (Ni) μέσω των μηχανισμών αγωγιμότητας ρεύματος. Τόσο η υψηλή όσο και η χαμηλή αντίσταση αναλύονται μέσω μετρήσεων ρεύματος-τάσης που εξαρτώνται από τη θερμοκρασία. Προτείνεται ο σχηματισμός και η συστολή νημάτων νικελίου κατά μήκος ελαττωμάτων βορίου στο φιλμ h-BN ως μηχανισμός μεταγωγής με αντίσταση. Τα ηλεκτρικά δεδομένα επιβεβαιώνονται με αναλύσεις TEM για την καθιέρωση μετρήσεων ρεύματος-τάσης που εξαρτώνται από τη θερμοκρασία ως πολύτιμο εργαλείο για την ανάλυση φαινομένων μεταγωγής αντίστασης σε memristors κατασκευασμένα από υλικά 2D. Τα memristors εμφανίζουν ένα ευρύ και ρυθμιζόμενο εύρος λειτουργίας ρεύματος και χαμηλά ρεύματα αναμονής, σύμφωνα με την τελευταία λέξη της τεχνολογίας στους διακόπτες κατωφλίου που βασίζονται σε h-BN, χαμηλή μεταβλητότητα από κύκλο σε κύκλο 2% και μεγάλη ενεργοποίηση / Αναλογία εκτός 5⁷. "

Βρείτε το τεχνικό έγγραφο εδώ. Δημοσιεύθηκε Μάιος 2023.

Völkel, L., Μπράουν, Δ., Μπελέτε, Μ., Κατάρια, Σ., Γουόλμπρινκ, Τ., Ραν, Κ., Κίστερμαν, Κ., Μάγιερ, Τζ., Μένζελ, Σ., Ντάους, Α., Lemme, MC, Μηχανισμοί μεταγωγής αντίστασης και αγωγιμότητας ρεύματος σε Memristors κατωφλίου νιτριδίου βορίου εξαγωνικού με ηλεκτρόδια νικελίου. Adv Λειτουργία Μητήρ. 2023, 2300428. https://doi.org/10.1002/adfm.202300428.