EPC Launches 200V, 10mΩ GaN FET - Plato AiStream V2.1

Αναδημοσίευση από τον Πλάτωνα

Ακολουθούν: 0

31 Ιανουαρίου 2023

Η Efficient Power Conversion Corp (EPC) του El Segundo, Καλιφόρνια, ΗΠΑ – η οποία κατασκευάζει το νιτρίδιο του γαλλίου σε λειτουργία βελτίωσης σε τρανζίστορ πεδίου ισχύος (FETs) πυριτίου (eGaN) και ολοκληρωμένα κυκλώματα για εφαρμογές διαχείρισης ενέργειας – παρουσίασε το 200V, 10mΩ EPC2307 σε θερμικά ενισχυμένη συσκευασία QFN σε αποτύπωμα 3mm x 5mm.

Η νέα συσκευή ολοκληρώνει μια οικογένεια έξι τρανζίστορ GaN με ονομαστική τάση 100V, 150V και 200V, προσφέροντας υψηλότερη απόδοση, μικρότερο μέγεθος λύσης και ευκολία σχεδιασμού για μετατροπή DC-DC, AC/DC SMPS και φορτιστές, ηλιακούς βελτιστοποιητές και μικρο-μετατροπείς. και κινητήρες.

Το EPC2307 είναι συμβατό με τα προηγούμενα 100V, 1.8mΩ EPC2302, 100V 3.8mΩ EPC2306, 150V, 3mΩ EPC2305, 150V, 6mΩ EPC2308DS (ενεργοποιημένο)) έναντι της τιμής για τη βελτιστοποίηση λύσεων για αποδοτικότητα ή κόστος με την απόθεση διαφορετικού αριθμού ανταλλακτικού στο ίδιο αποτύπωμα PCB.

Οι συσκευές διαθέτουν θερμικά ενισχυμένο πακέτο QFN με εκτεθειμένο επάνω μέρος. Η εξαιρετικά μικρή θερμική αντίσταση βελτιώνει τη διάχυση της θερμότητας μέσω ψύκτρας ή διαστολέα θερμότητας για εξαιρετική θερμική συμπεριφορά, ενώ τα βρέξιμα πλευρικά τοιχώματα απλοποιούν τη συναρμολόγηση και η συμβατότητα αποτυπώματος προσφέρει ευελιξία σχεδιασμού στις αλλαγές προδιαγραφών για γρήγορο χρόνο στην αγορά.

Λέγεται ότι η οικογένεια συσκευών φέρνει πολλά πλεονεκτήματα στα σχέδια κίνησης κινητήρα, όπως πολύ σύντομους χρόνους αδράνειας για υψηλή απόδοση συστήματος κινητήρα + μετατροπέα, χαμηλότερο κυματισμό ρεύματος για μειωμένη μαγνητική απώλεια, χαμηλότερο κυματισμό ροπής για βελτιωμένη ακρίβεια και χαμηλότερο φιλτράρισμα για χαμηλότερο κόστος.

Για εφαρμογές μετατροπής DC–DC, οι συσκευές προσφέρουν έως και πέντε φορές υψηλότερη πυκνότητα ισχύος, λέγεται ότι είναι εξαιρετική απαγωγή θερμότητας και χαμηλότερο κόστος συστήματος τόσο σε σχέδια σκληρής μεταγωγής όσο και σε σχέδια soft switching. Επιπλέον, το κουδούνισμα και η υπέρβαση μειώνονται σημαντικά για καλύτερο EMI.

«Η συνεχής επέκταση αυτής της οικογένειας συσκευών που είναι συμβατές με το αποτύπωμα, εύκολες στη συναρμολόγηση παρέχει στους μηχανικούς την ευελιξία να βελτιστοποιούν τα σχέδιά τους γρήγορα χωρίς να καθυστερούν την κυκλοφορία τους στην αγορά», λέει ο συνιδρυτής και διευθύνων σύμβουλος Alex Lidow. «Αυτή η οικογένεια συσκευών είναι ιδανική για μικρότερους, ελαφρύτερους κινητήρες, πιο αποδοτικούς και μικρότερους μετατροπείς DC–DC και ηλιακούς βελτιστοποιητές και μικρο-μετατροπείς υψηλότερης απόδοσης».

Για να απλοποιηθεί η διαδικασία αξιολόγησης και να επιταχυνθεί ο χρόνος στην αγορά, η πλακέτα ανάπτυξης EPC90150 είναι μια μισή γέφυρα που διαθέτει το EPC2307 GaN. Οι πλακέτες 2" x 2" (50.8mm x 50.8mm) έχουν σχεδιαστεί για βέλτιστη απόδοση μεταγωγής και περιέχουν όλα τα κρίσιμα εξαρτήματα για εύκολη αξιολόγηση.

Η τιμή του EPC2307 είναι 3.54 $ το καθένα σε τόμους 1000 μονάδων. Η πλακέτα ανάπτυξης EPC90150 κοστίζει 200 $ η κάθε μία. Όλες οι συσκευές και οι πλακέτες είναι διαθέσιμες για άμεση παράδοση από τον διανομέα Digi-Key Corp.

Δείτε σχετικά αντικείμενα:

Αποστολή EPC με χαμηλότερη αντίσταση GaN FET 150V και 200V στην αγορά

Η EPC επεκτείνει τη συσκευασμένη οικογένεια GaN FET στα 150V

Ετικέτες: EPC E-mode GaN FET

Επισκεφθείτε την ιστοσελίδα: www.epc-co.com