ROHM’s Fourth-gen SiC MOSFETs To Be Used In Hitachi Astemo’s EV Inverters

প্লেটো দ্বারা প্রকাশিত

অনুসরণকারী: 0

11 জানুয়ারী 2023

জাপানের ROHM জাপানী স্বয়ংচালিত যন্ত্রাংশ প্রস্তুতকারক Hitachi Astemo Ltd দ্বারা তৈরি বৈদ্যুতিক যান (EV) ইনভার্টারগুলিতে তার নতুন চতুর্থ-প্রজন্মের সিলিকন কার্বাইড (SiC) MOSFETs এবং গেট ড্রাইভার ICs গ্রহণের ঘোষণা দিয়েছে৷

বিশেষ করে ইভির জন্য, বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল, যা ড্রাইভ সিস্টেমে একটি কেন্দ্রীয় ভূমিকা পালন করে, ক্রুজিং পরিসীমা প্রসারিত করতে এবং অনবোর্ড ব্যাটারির আকার কমাতে আরও দক্ষ করে তুলতে হবে, যা SiC পাওয়ার ডিভাইসগুলির জন্য প্রত্যাশা বাড়ায়।

ROHM বলেছে যে এর সর্বশেষ চতুর্থ প্রজন্মের SiC MOSFETs উন্নত শর্ট-সার্কিট সহ্য করার সময় প্রদান করে এবং যাকে শিল্পের সর্বনিম্ন অন-প্রতিরোধ বলে দাবি করা হয়, এটি বিদ্যুতের খরচ কমিয়ে বৈদ্যুতিক গাড়ির ক্রুজিং রেঞ্জকে 6% কমিয়ে বাড়ানো সম্ভব করে তোলে। সিলিকন IGBTs (আন্তর্জাতিক মানের WLTC জ্বালানী দক্ষতা পরীক্ষা দ্বারা গণনা করা হয়) যখন প্রধান বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল ইনস্টল করা হয়।

Hitachi Astemo, যেটি বহু বছর ধরে গাড়ির মোটর এবং ইনভার্টারের জন্য উন্নত প্রযুক্তি তৈরি করছে, ইতিমধ্যেই ক্রমবর্ধমান জনপ্রিয় ইভি বাজারে একটি ট্র্যাক রেকর্ড রয়েছে৷ যাইহোক, এই প্রথমবারের মতো প্রধান বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল সার্কিটের জন্য SIC ডিভাইসগুলিকে আরও উন্নত করার জন্য গৃহীত হবে৷ ইনভার্টারগুলি 2025 সাল থেকে অটোমেকারদের সরবরাহ করা হবে, যা জাপানে শুরু হবে এবং তারপরে বিদেশে বিস্তৃত হবে।

ROHM বলে যে, এগিয়ে গিয়ে, SiC পাওয়ার ডিভাইসের সরবরাহকারী হিসাবে, এটি তার লাইনআপকে শক্তিশালী করতে এবং পাওয়ার সলিউশন প্রদান করতে থাকবে যা পেরিফেরাল ডিভাইস প্রযুক্তি যেমন কন্ট্রোল ICs-এর মতো পারফরম্যান্সকে সর্বাধিক করার জন্য ডিজাইন করা সমন্বয় করে যানবাহনে প্রযুক্তিগত উদ্ভাবনে অবদান রাখে।

সম্পর্কিত আইটেম দেখুন:

ROHM-এর চতুর্থ-প্রজন্মের SiC MOSFETগুলি EVs-এর জন্য SEMIKRON-এর eMPack পাওয়ার মডিউলগুলিতে ব্যবহার করা হবে

ROHM চতুর্থ প্রজন্মের SiC MOSFETs উন্মোচন করেছে

ট্যাগ্স: ROHM SiC পাওয়ার MOSFET

যান: www.hitachiastemo.com/en

যান: www.rohm.com/web/global/sic-mosfet