নাভিটাস APEC-এ GaN এবং SiC অ্যাপ্লিকেশন হাইলাইট করছে

প্লেটো দ্বারা প্রকাশিত

অনুসরণকারী: 0

2 ফেব্রুয়ারি 2024

লং বিচ কনভেনশন অ্যান্ড এন্টারটেইনমেন্ট সেন্টার, লং বিচ, CA, USA (1353-2024 ফেব্রুয়ারি), গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) পাওয়ার আইসি এবং সিলিকন-এ অ্যাপ্লায়েড পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স কনফারেন্সে (APEC 26) এর 'প্ল্যানেট নেভিটাস' বুথ #29-এ কার্বাইড (SiC) প্রযুক্তি প্রতিষ্ঠান নাভিটাস সেমিকন্ডাক্টর কর্প অফ টরেন্স, CA, USA হাইলাইট করছে কিভাবে GaN এবং SiC প্রযুক্তি সম্পূর্ণ বিদ্যুতায়িত আবাসন, পরিবহন এবং শিল্পের জন্য সর্বশেষ সমাধান সক্ষম করছে। উদাহরণগুলি হল টিভি পাওয়ার থেকে হোম-অ্যাপ্লায়েন্স মোটর এবং কম্প্রেসার, বৈদ্যুতিক যান (EV) চার্জিং, সোলার/মাইক্রো-গ্রিড ইনস্টলেশন, এবং ডেটা-সেন্টার পাওয়ার সিস্টেম। প্রতিটি শেষ-ব্যবহারকারীর সুবিধাগুলিকে হাইলাইট করে, যেমন বর্ধিত বহনযোগ্যতা, দীর্ঘ পরিসর, দ্রুত চার্জিং এবং গ্রিড-স্বাধীনতা, সেইসাথে কম-কার্বন-ফুটপ্রিন্ট GaN এবং SiC প্রযুক্তি কীভাবে 6Gtons/বছরের বেশি CO বাঁচাতে পারে তার উপর ফোকাস2 2050 দ্বারা.

"পরিপূরক GaNFast এবং GeneSiC পোর্টফোলিও, ব্যাপক, অ্যাপ্লিকেশন-নির্দিষ্ট সিস্টেম ডিজাইন সমর্থন সহ, টেকসই পারফরম্যান্স সুবিধার সাথে গ্রাহকদের টাইম-টু-মার্কেটকে ত্বরান্বিত করে," বলেছেন চিফ অপারেটিং অফিসার/চীফ টেকনোলজি অফিসার এবং সহ-প্রতিষ্ঠাতা ড্যান কিনজার৷ "'প্ল্যানেট নেভিটাস' বিশাল $22bn/বছরের বাজার সুযোগ জুড়ে GaN এবং SiC-এর বাস্তব, অনুপ্রেরণাদায়ক বাস্তবায়নের প্রতিনিধিত্ব করে।"

প্রধান প্রযুক্তি আপডেট এবং রিলিজের মধ্যে রয়েছে GaNSafe (বিশ্বের সবচেয়ে সুরক্ষিত, সবচেয়ে-নির্ভরযোগ্য এবং সর্বোচ্চ-কর্মক্ষমতাসম্পন্ন GaN শক্তি বলে দাবি করা হয়েছে), Gen-4 GaNSense হাফ-ব্রিজ ICs (সবচেয়ে সমন্বিত GaN ডিভাইস), Gen-3 ফাস্ট SiC শক্তি FETs (উচ্চ-শক্তি কর্মক্ষমতা জন্য), এবং দ্বি-দিকনির্দেশক GaN (মোটর ড্রাইভ এবং শক্তি-সঞ্চয়স্থান অ্যাপ্লিকেশনের জন্য)।

APEC এ Navitas দ্বারা প্রযুক্তিগত উপস্থাপনা

27 ফেব্রুয়ারি

8:55am (IS05.2), আলফ্রেড হেসেনার (সিনিয়র ডিরেক্টর ইন্ডাস্ট্রিয়াল অ্যান্ড কনজিউমার);
10:40am (PSTT02.6), 'একটি উচ্চ ঘনত্ব 400W DC/DC পাওয়ার মডিউল সহ ইন্টিগ্রেটেড প্ল্যানার ট্রান্সফরমার এবং হাফ ব্রিজ GaN IC' বিন লি (পরিচালক অ্যাপ্লিকেশন);
11:40am (PSTT01.9), Xiucheng Huang (সিনিয়র ডিরেক্টর) দ্বারা 'GN ভিত্তিক মাল্টি-আউটপুট ফ্লাইব্যাক কনভার্টারে প্ল্যানার ট্রান্সফরমার উইন্ডিং লসের জন্য একটি অপ্টিমাইজেশন পদ্ধতি';
3:45pm (অবস্থান: 101B), প্রদর্শক উপস্থাপনা "Electrify our World" with Next-gen GaNFast এবং GeneSiC Power', ড্যান কিনজার।

29 ফেব্রুয়ারি

8:30-11:20am (IS19), 'SiC & Package Innovations in Power Modules', সেশন চেয়ার স্টিফেন অলিভার (VP কর্পোরেট মার্কেটিং এবং IR);
8:55am (PSTIS21.2), 'GaN হাফ-ব্রিজ পাওয়ার IC এবং AHB/Totem-Pole Topologies Enable 240W, 150cc, PD3.1 সলিউশন উইথ 95.5% দক্ষতা' টম রিবারিচ (সিনিয়র ডিরেক্টর স্ট্র্যাটেজিক মার্কেটিং);
1:30–3:10pm (IS27), 'Emerging Applications for Power Electronics', সেশন চেয়ার Llew Vaughan-Edmunds (সিনিয়র ডিরেক্টর GeneSiC);
2:20pm (IS27-3), স্টিফেন অলিভার এবং Llew Vaughan-Edmunds দ্বারা 'ইভি লং-হল ট্রাকিং-এ মেগাওয়াট চার্জিংয়ের জন্য উচ্চ-ভোল্টেজ SiC অপ্টিমাইজড'।