নিকেল ইলেক্ট্রোড সহ হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইড মেমরিস্টরস: কারেন্ট কন্ডাকশন মেকানিজম এবং রেজিস্টিভ সুইচিং বিহেভিয়ার (RWTH Aachen)

RWTH আচেন ইউনিভার্সিটি এবং পিটার গ্রুয়েনবার্গ ইনস্টিটিউটের গবেষকদের দ্বারা "হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইড থ্রেশহোল্ড মেমরিস্টরস উইথ হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইড থ্রেশহোল্ড মেমরিস্টরস" শিরোনামের একটি নতুন প্রযুক্তিগত গবেষণাপত্র।

সারাংশ:

“2D নিরোধক উপাদান হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইড (h-BN) মেমরিস্টিভ ডিভাইসে সক্রিয় মাধ্যম হিসাবে এর অনুকূল ভৌত বৈশিষ্ট্যের কারণে অনেক মনোযোগ আকর্ষণ করেছে, অন্যদের মধ্যে, একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ যা একটি বড় সুইচিং উইন্ডো সক্ষম করে। ধাতব ফিলামেন্ট গঠন প্রায়শই h-BN ডিভাইসগুলির জন্য রেজিস্টিভ সুইচিং (RS) পদ্ধতি হিসাবে প্রস্তাবিত হয়, সাধারণত পরিবাহী পারমাণবিক শক্তি মাইক্রোস্কোপি (C-AFM) বা ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপি (TEM) এর মতো অত্যন্ত বিশেষ পদ্ধতি দ্বারা সমর্থিত। এখানে, দুটি নিকেল (Ni) ইলেক্ট্রোড সহ মাল্টিলেয়ার হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইড (h-BN) থ্রেশহোল্ড মেমরিস্টরগুলির স্যুইচিং তাদের বর্তমান সঞ্চালন প্রক্রিয়ার মাধ্যমে তদন্ত করা হয়। তাপমাত্রা-নির্ভর কারেন্ট-ভোল্টেজ পরিমাপের মাধ্যমে উচ্চ এবং নিম্ন প্রতিরোধের উভয় অবস্থাই বিশ্লেষণ করা হয়। প্রতিরোধমূলক সুইচিং প্রক্রিয়া হিসাবে h-BN ফিল্মে বোরন ত্রুটি বরাবর নিকেল ফিলামেন্টের গঠন এবং প্রত্যাহার প্রস্তাবিত। বৈদ্যুতিক ডেটা 2D উপকরণ দিয়ে তৈরি মেমরিস্টরগুলিতে প্রতিরোধী সুইচিং ঘটনা বিশ্লেষণের জন্য একটি মূল্যবান হাতিয়ার হিসাবে তাপমাত্রা-নির্ভর বর্তমান-ভোল্টেজ পরিমাপ স্থাপনের জন্য TEM বিশ্লেষণের সাথে নিশ্চিত করা হয়। মেমরিস্টররা এইচ-বিএন-ভিত্তিক থ্রেশহোল্ড সুইচগুলিতে শিল্পের অবস্থার সাথে সামঞ্জস্য রেখে একটি বিস্তৃত এবং সুরযোগ্য বর্তমান অপারেশন পরিসীমা এবং কম স্ট্যান্ড-বাই স্রোত প্রদর্শন করে, একটি কম সাইকেল-টু-সাইকেল পরিবর্তনশীলতা 5% এবং একটি বড় অন /অফ অনুপাত 10⁷. "

খোঁজো এখানে প্রযুক্তিগত কাগজ. মে 2023 সালে প্রকাশিত।

ভলকেল, এল।, ব্রাউন, ডি।, বেলেট, এম।, কাটারিয়া, এস., ওয়ালব্রিঙ্ক, টি।, রান, কে।, কিস্টারম্যান, কে।, মায়ার, জে।, মেনজেল, এস।, দাউস, এ।, লেমে, এমসি, নিকেল ইলেক্ট্রোড সহ হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইড থ্রেশহোল্ড মেমরিস্টরগুলিতে প্রতিরোধী স্যুইচিং এবং কারেন্ট কন্ডাকশন মেকানিজম. অ্যাড। ফান্ট। ম্যাটার 2023, 2300428। https://doi.org/10.1002/adfm.202300428।

• এসইও চালিত বিষয়বস্তু এবং পিআর বিতরণ। আজই পরিবর্ধিত পান।
• প্লেটোএআইস্ট্রিম। Web3 ডেটা ইন্টেলিজেন্স। জ্ঞান প্রসারিত. এখানে প্রবেশ করুন.
• অ্যাড্রিয়েন অ্যাশলির সাথে ভবিষ্যত মিন্টিং। এখানে প্রবেশ করুন.
• PREIPO® এর সাথে PRE-IPO কোম্পানিতে শেয়ার কিনুন এবং বিক্রি করুন। এখানে প্রবেশ করুন.
• উত্স: https://semiengineering.com/hexagonal-boron-nitride-memristors-with-nickel-electrodes-current-conduction-mechanisms-resistive-switching-behavior-rwth-aachen/