تطور جامعة ميتشيغان ترانزستور HEMT الكهروحراري القابل لإعادة التكوين

طورت جامعة ميشيغان مؤخرًا نوعًا جديدًا من الترانزستور الذي يمكن أن يحدث ثورة في صناعة الإلكترونيات. الترانزستور الجديد، الذي يُطلق عليه اسم HEMT (ترانزستور التنقل الإلكتروني العالي) القابل لإعادة التشكيل، هو نوع من ترانزستور التأثير الميداني الذي يمكن إعادة تشكيله لأداء وظائف مختلفة. وهذا يعني أن المهندسين يمكنهم تصميم دوائر بمكونات أقل وتقليل تعقيد تصميماتها.

The Reconfigurable Ferroelectric HEMT is based on a ferroelectric material, which is a material that can store electrical charges. This material is sandwiched between two metal layers, and when an electric field is applied to the material, it creates a charge that can be used to control the transistor’s behavior. By changing the electric field, engineers can control the transistor’s behavior and configure it to perform different functions.

يتمتع جهاز HEMT الكهروضوئي القابل لإعادة التشكيل بالعديد من المزايا مقارنة بالترانزستورات التقليدية. أولاً، يمكن إعادة تكوينه بسرعة وسهولة، مما يجعله مثاليًا للتطبيقات التي تتطلب تغييرات متكررة في الوظائف. بالإضافة إلى ذلك، فهو أكثر كفاءة في استخدام الطاقة من الترانزستورات التقليدية، مما يعني أنه يمكن أن يقلل من استهلاك الطاقة في الأجهزة الإلكترونية. وأخيرًا، فهو أيضًا أكثر موثوقية من الترانزستورات التقليدية، مما يجعله مناسبًا للاستخدام في التطبيقات ذات المهام الحرجة.

The development of the Reconfigurable Ferroelectric HEMT is an important step forward for the electronics industry. This new type of transistor will allow engineers to design more efficient and reliable circuits with fewer components. It could also lead to the development of new types of devices and applications that were not previously possible. The University of Michigan’s breakthrough could potentially revolutionize the electronics industry and open up new possibilities for engineers and designers.

• محتوى مدعوم من تحسين محركات البحث وتوزيع العلاقات العامة. تضخيم اليوم.
• بلاتوبلوكشين. Web3 Metaverse Intelligence. تضخيم المعرفة. الوصول هنا.
• المصدر: ذكاء بيانات أفلاطون: أفلاطونايستريم